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2018年8月7日的美国闪存峰会(FMS)上,海力士,三星,东芝,西部数据,Intel等NAND厂商纷纷发布QLC架构的快闪存储器或基于QLC NAND的SSD产品,满足市场对存储容量日益激增的需求,那么QLC是什么呢?它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好吗? 首先我们先来回顾下SLC、MLC及TLC。 SLC:全称Single-Level Cell,每个Cell单元存储1bit信息,也就是只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快速,反映出来的特点就是寿命长,性能强,P/E寿命在1万到10万次之间,但缺点就是容量低,成本高,毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。 MLC:全称是Multi-Level Cell,它实际上是跟SLC对应的,SLC之外的NAND闪存都是MLC类型,而我们常说的MLC是指2bit MLC,每个cell单元存储2bit信息,电压有000,01,10,11四种变化,所以它比SLC需要更复杂的电压控制,加压过程用时也变长,意味着写入性能降低了,同时可靠性也下降了,P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等,有的还更低。 TLC:也就是Trinary-Level Cell了,准确来说是3bit MLC,每个cell单元存储3bit信息,电压从000到...