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2018年8月7日的美国闪存峰会（FMS）上，海力士，三星，东芝，西部数据，Intel等NAND厂商纷纷发布QLC架构的快闪存储器或基于QLC NAND的SSD产品，满足市场对存储容量日益激增的需求，那么QLC是什么呢？它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好吗？ 首先我们先来回顾下SLC、MLC及TLC。 SLC：全称Single-Level Cell，每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强，P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低，成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。 MLC：全称是Multi-Level Cell，它实际上是跟SLC对应的，SLC之外的NAND闪存都是MLC类型，而我们常说的MLC是指2bit MLC，每个cell单元存储2bit信息，电压有000,01,10,11四种变化，所以它比SLC需要更复杂的电压控制，加压过程用时也变长，意味着写入性能降低了，同时可靠性也下降了，P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等，有的还更低。 TLC：也就是Trinary-Level Cell了，准确来说是3bit MLC，每个cell单元存储3bit信息，电压从000到111有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。 最新上市的QLC则是Quad-Level Cell，或者叫4bit MLC，电压从0000到1111有16种变化，容量增加了33%，但是写入性能、P/E寿命会再次减少。 QLC相对于其他三个闪存...